Indukcyjna obróbka cieplna zaczęła być stosowana w Chinach w latach pięćdziesiątych XX wieku, kiedy proces ten nazwano „hartowaniem przy wysokiej częstotliwości”. Ten nowy proces obróbki cieplnej WYKORZYSTUJE elektromagnetyczne nagrzewanie indukcyjne cewki, aby szybko osiągnąć temperaturę hartowania przedmiotu obrabianego, a następnie szybkie chłodzenie, tak że tylko warstwę powierzchniową w celu uzyskania struktury hartowniczej. Charakteryzuje się dużą szybkością nagrzewania, dobrymi warunkami pracy, wysoką wytrzymałością powierzchni i niewielkimi odkształceniami i jest szybko akceptowany i rozwijany przez pracowników obróbki cieplnej.
1. Tyrystorowy (SCR) zasilacz o częstotliwości pośredniej
Wczesne zasilanie nagrzewania indukcyjnego jest mechaniczne, jeśli generator o niskiej sprawności elektrycznej, 70% ~ 75%, został wycofany z zakresu nagrzewania indukcyjnego i zastąpiony tyrystorowym zasilaniem, znanym również jako SCR zasilania. Częstotliwość zasilania tyrystorowego wynosi 2.5 ~ 8 kHz, zakres zastosowań jest znacznie rozszerzony. Na początku lat 1990. był w pełni dojrzały, a niektóre jego wskaźniki techniczne osiągnęły międzynarodowy poziom zaawansowany. W porównaniu z mechaniczną częstotliwością pośrednią ma zalety małej objętości i lekkości. Brak ruchu mechanicznego, niski poziom hałasu; Może natychmiast rozpocząć i zatrzymać; Częstotliwość jest automatycznie śledzona podczas pracy przedmiotu obrabianego. Wady to mała przeciążalność, duża awaryjność, wysoka cena.
2. Zasilanie wysokiej częstotliwości lampy próżniowej
Zasilacz wysokiej częstotliwości lampy próżniowej jest prosty w dostrojeniu i łatwy w użyciu. Chociaż częstotliwość jest wysoka, zakres jego zastosowania jest szeroki. Wadą jest niska sprawność elektryczna, około 50%; Napięcie robocze jest zbyt wysokie, a bezpieczeństwo jest słabe.
3. Tranzystorowe zasilacze UHF i HF
Po latach 1990. zaczął się rozwijać tranzystorowy zasilacz wysokiej częstotliwości (zasilacz wysokiej częstotliwości SIT, zasilacz wysokiej częstotliwości MOSFET, zasilacz super audio IGBT itp.).
Statyczny tranzystor indukcyjny SIT (tranzystor indukcyjny StaticSIT) jest w rzeczywistości złączem elektrostatycznego tranzystora indukcyjnego fET.SIT, ustawia duży prąd, wysokie napięcie i charakterystykę wysokiej częstotliwości w jednym, ale ponieważ zasilacz SIT ze względu na małą moc pojedyncza rura i inne niedociągnięcia są trudne do pokonania, zagraniczne firmy zatrzymały badania i rozwój oraz produkcję, produkcja krajowa była dziesiątkami, ale z powodu braku części zamiennych została złomowana.
MOSFET (obwód tranzystora polowego) jest napięciowym urządzeniem nośnym większościowym hf. Domowy tranzystor MOSFET hf o zasilaniu F=50~200kHz może być produkowany z mocą do 200kW.
IGBT/Insulating Gate Polartranzystor to połączenie MOSFET i GTR, które zapewnia zarówno wysoką impedancję wejściową MOSFET, jak i niski spadek napięcia przewodzenia w GTR. GTR ma niższe napięcie nasycenia i wyższą gęstość prądu przenoszenia, ale wyższy prąd napędowy.Moc napędu MOSFET jest mała, prędkość przełączania jest szybka, ale spadek napięcia przewodzenia jest duży, gęstość prądu przenoszenia jest niewielka. IGBT łączy zalety powyższych dwóch urządzeń, z niską mocą napędu i niskim napięciem nasycenia. Moc super audio IGBT w Chinach od 90 lat sukces rozwojowy, obecnie krajowa moc IGBT, jest bardzo dojrzały, częstotliwość może osiągnąć kilkaset kiloherców.